RECONOCIMIENTO Y COMPROBACION DE TRANSISTORES

Transistor

El Transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

Este dispositivo tiene tres electrodos o bornes, uno por cada uno de los cristales de que se compone. Al cristal que recibe la corriente, el primero de los tres, se distingue con el nombre de emisor; el cristal del centro como base, y al cristal de salida de la corriente, colector. Entonces, en un transistor de tipo NPN, la primera N será el emisor, P será la base, y la otra N, el colector. Estos nombres se suelen abreviar con las letras E, B y C respectivamente.

Para comprender bien el funcionamiento del transistor debemos recordar la teoría atómica, donde el cristal N es un cristal que tiene exceso de electrones, y el cristal PTransistor NPN, es un cristal con exceso de huecos. Por ejemplo un transistor de tipo NPN, siguiendo la imagen en la que una fuente de alimentación (B) provee de corriente al emisor, conectado al polo negativo en el cristal N, negativo también. En estas condiciones se forman como unas barreras Z1 y Z2 en las uniones con el cristal P de base, que impiden el paso de la corriente. La base está llena de huecos que pasan a ser ocupados por los electrones más próximos de los cristales contiguos, formándose estas barreras de átomos en equilibrio que impide el paso de la corriente (salvo una muy débil corriente de fuga de escasísimo valor).

Pero si se polariza la fuente del mismo signo que ella, es decir, con una tensión positiva respecto al emisor, lo que se llama en sentido contrario, la barrera Z1 desaparece porque el potencial positivo aplicado a la base repele los huecos hacia los cristales N y penetran en la zona de resistencia. Los electrones libres del emisor la atraviesan siendo atraídos por los potenciales positivos de la base y del colector. Dado que el potencial positivo del colector es mucho más elevado que el de la base, los electrones se sentirán más atraídos por el primero, por lo que se obtendrá una elevada corriente del colector (que abreviaremos IC) y una pequeña corriente de base (IB). La corriente del emisor (IE) será por tanto igual a la suma de la corriente de colector y la corriente de base, tal como se deduce de las leyes de Kirchhoff. Es decir:

IE = IC + IB

Como se forman los cristales

Cristal N: Introduciendo unos átomos de Arsenio sobre la estructura atómica del germanio, lo cual se llama dopado, la estructura resultante queda del modo que el átomo de Arsenio se integra dentro de la unión covalente de los átomos de germanio, pero el electrón sobrante ahora no tiene cabida en el sistema, de modo que queda como electrón libre. Si ahora aplicamos a uno y otro extremo del material, se establecerá una vía de paso de los electrones desde el polo negativo al positivo, de modo que el cristal se hace conductor. A este tipo de cristal se le denomina conductor N, y al cristal que lo forma cristal N o de tipo N.

Cristal P: Podemos hacer otra combinación que va a consistir en la introducción de la impureza a base de utilizar unos átomos que dispongan solamente de 3 electrones de valencia. Si dopamos el material con Indio, por ejemplo, y éste entra a formar parte de la estructura del cristal , habrá un átomo que tendrá su órbita exterior compartida solamente 7 electrones y ello provocará la inestabilidad del conjunto, pero en ves de quedarse con un electrón más, queda con alguna parte del cristal hay un hueco que algún electrón ha de llenar. Ocurre que por la naturaleza de los átomos, el átomo que tiene el hueco suele quedarse con el electrón más próximo que quede a su alcance, y que en ese caso el otro átomo se quede sin electrón y a consecuencia de que esta situación se efectúa a gran velocidad, se podría hablar de un hueco que está constantemente desplazándose por todo el cristal. De esta manera el cristal resulta positivo(de tipo P) porque si le aplicamos una fuente de alimentación, se establecerá una circulación de huecos del polo positivo al negativo, es decir, los electrones habrán encontrado la vía de los huecos para atravesar todo el cristal.

Cuando unimos un cristal P con un cristal N, estamos creado un elemento de enorme importancia en la electrónica: el Diodo, ahora que ocurre, desde el punto de vista eléctrico, si unimos dos diodos entre sí, es decir si unimos un conjunto P-N con otro N-P, dorso contra dorso; o bien si unimos un N-P con otro P-N, en las mismas condiciones.

Debido a que las dos secciones centrales poseen el mismo dopado, se confunden entre si, de modo que nos queda una unión real que equivale, en el primer caso, a P-N-P y en el segundo a N-P-N.
En 1949, alguien realizando pruebas (estas pruebas se realizarán en artículos especiales) se dio cuenta de que se hallaba ante un nuevo dispositivo semiconductor de enormes posibilidades, y lo bautizó con el nombre de transistor sacado de transfer resistor (resistencia de transferencia, en inglés) porque el transistor ofrece una resistencia variable.

Tipos de Transistores

* Transistores Bipolares de unión, BJT. ( PNP o NPN )

- BJT, de transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junction Transistor).

El termino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el material polarizado de forma opuesta.

* Transistores de efecto de campo. ( JFET, MESFET, MOSFET )

- JFET, De efecto de campo de unión (JFET): Tambien llamado transistor unipolar, fué el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica.

- MESFET, transistores de efecto de campo metal semiconductor.

- MOSFET, transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una puerta, un electrodo de metal.

*Transistores HBT y HEMT.

Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de Hetereoestructura) y Hight Electron Mobility Transistor ( De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3 terminales formados por la combinación de diferentes componentes, con distinto salto de banda prohibida.

Como se prueba un transistor

Para medir un transistor necesitamos de la ayuda de un multímetro el cual colocaremos en la menor escala de Ω o en donde se miden los diodos, generalmente las placas traen impresas la posición en la que se debe colocar la B-E o C

1. Entre el emisor y el colector no debe de dar ningún valor en ninguno de los dos sentidos

2. Entre el colector y la base debe dar un valor en un solo sentido es decir que si se coloca inverso no debe de marcar ningún numero

3. Entre el emisor y la base se mide igual que como se mide igual que C con B teniendo en cuenta que en este caso el valor debe ser mayor al anterior.

Con esto podemos comprobar si está en buen estado e identificar cada una de sus partes y así también al identificar que la base es negativa se deduce que es PNP y si la base es positiva NPN.

A continuación la tabla muestra los resultados de los valores que se tomaron en 8 transistores ubicados en la tarjeta de un monitor

Ref. Tarjeta	Orden	Ref. transistor	Tipo	Medida
1.Q411	B-C-E	A 733 P PH 9n	PNP	B-E	C-E	C-B
				848	0	837
2.Q415	B-C-E	C945P PH 01	NPN	842	0	832
3.Q409	E-C-B	D667 DC 4	NPN	715	0	710
4.Q407	E-C-B	F423 PH n2	PNP	774	0	732
5.Q808	E-C-B	A1020 Y:.OD	PNP	706	0	703
6.Q810	B-C-E	C2655 Y:.OE	NPN	715	0	707
7.Q901	E-C-B	D2491 C 9M4	NPN	735	0	716
8.Q910	E-C-B	B716 OA 1	PNP	784	0	748

5 primeros desensamblados

Transistor D2491 (#7 en la tabla)

1. A 733 P

NTE289A (NPN) y NTE290A (PNP)
Transistores de silicio
Audio amplificador de potencia

NTE289A (NPN) y NTE290A (PNP)
Complementarias transistores de silicio
Audio amplificador de potencia
Características:
Desglose de Alto Voltaje: V (BR) CEO = 80 V Min
Alto Actual: IC = 500mA
Baja tensión de saturación
Máximo absoluto Valoración: (TA = +25 ° C, a menos que se especifique otra)

El colector de la Base de tensión, VCBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Colector-emisor de tensión, VCEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 V
Emisor-Base de tensión, VEBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
El colector actual, IC
Continua. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Peak. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mA
El colector de disipación, PC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600
Temperatura de funcionamiento Junction, TJ . . . . . . . . . . . . . +150 ° C
Rango de Temperatura de almacenamiento, Tstg .. . . -55 ° a +150 ° C

2. C945P

NTE85
Transistor de silicio NPN
Propósito General amplificador

Aplicaciones:
Media amplificadores de potencia
Clase B salidas de audio
Hi-Fi conductores

Máximo absoluto Valoración: (TA = +25 ° C, a menos que se especifique otra)

Colector-emisor de tensión, VCEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
El colector de la Base de tensión, VCBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Emisor-Base de tensión, VEBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Continua actual colector, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Total de disipación del dispositivo (TA = +25 ° C), PD . . . . . . . 625mW
Derate Por encima de 25 ° C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0mW / ° C
La salida de funcionamiento a temperatura, TJ. . . . . . -55 ° a +150 ° C
Rango de Temperatura de almacenamiento, Tstg. . . . -55 ° a +150 ° C
Resistencia térmica, Junction-Case, RthJC. . . . . . . . . . . . 83,3 ° C / W
Resistencia térmica, Junction-Ambient, RthJA. . . . . . . . . . 200 ° C / W

Nota 1. Estas puntuaciones son valores límite por encima del cual la prestación de los servicios de cualquier semiconductor Mayo
se vea perjudicada.
Nota 2. Estas calificaciones se basan en un cruce de la temperatura máxima de 150 ° C.

1. D667

NTE382 (NPN) y NTE383 (PNP)
Complementarias transistores de silicio
Audio frecuencia conductor

Máximo absoluto Valoración: (TA = +25 ° C, a menos que se especifique otra)
El colector de la Base de tensión, VCBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V
Colector-emisor de tensión, VCEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Emisor-Base de tensión, VEBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
El colector actual, IC
Continua. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Peak. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

El colector de disipación de potencia, PC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900mW
Temperatura de funcionamiento Junction, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150 ° C
Rango de Temperatura de almacenamiento, Tstg . . . . . . . . . . -55 ° a +150 ° C

1. A1020

NTE24 (NPN) y NTE25 (PNP)
Complementarias transistores de silicio
Amplificador de propósito general, Switch

Descripción:
El NTE24 (NPN) y NTE25 (PNP) son complementarios transistores de silicio en un tipo de paquete TO237
diseñados para fines generales de mediano y amplificador de potencia de conmutación de circuitos que requieren corrientes de colector
a 1A.
Características:
Alto colector emisor-Desglose de Voltaje: VCEO = 80 tervicies
Excepcional capacidad de disipación de energía
Máximo absoluto Valoración: (TA = +25 ° C, a menos que se especifique otra)
El colector de la Base de tensión, VCBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Colector-emisor de tensión, VCEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 V
Emisor-Base de tensión, VEBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
El colector actual, IC
Continuidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Peak. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Disipación de energía, PD
TA = +25 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 850mW
TC = +25 ° C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W
Temperatura Junction, TJ (máx.). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150 ° C
Rango de Temperatura de almacenamiento, Tstg. . . . -55 ° a +150 ° C
Resistencia térmica, Junction-Case, RthJC. . . . . . . . . . . . . . 50 ° C / W
Resistencia térmica, Junction-Ambient, RthJA . . . . . . . . . . 167 ° C / W

1. C2655

NTE2363 (NPN) y NTE2364 (PNP)
Complementarias transistores de silicio

Alto actuales de propósito general Amp / Switch
Características:
Baja tensión de saturación
Grandes capacidad actual y amplia ASO
Aplicaciones:
Fuentes de Poder
Los conductores Relay
Los conductores de lámpara
Automotriz de cableado
Máximo absoluto Valoración: (TA = +25 ° C, a menos que se especifique otra)
El colector de la Base de tensión, VCBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Colector-emisor de tensión, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Emisor-Base de tensión, VEBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
El colector actual, IC
Continua . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Peak. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
Colector admisible de disipación, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W
Temperatura Junction, TJ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150 ° C
Almacenamiento gama de temperaturas ambiente, Tstg………..-55 ° a +150 ° C
Nota 1 Para dispositivo PNP (NTE2364), el voltaje y la corriente son valores negativos.

A 733 P / C945P

D667 – C2655

A1020

BIBLIOGRAFIA

· http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor#Tipos_de_transistor

· http://www.areaelectronica.com/semiconductores-comunes/transistores.htm

· http://www.areaelectronica.com/semiconductores-comunes/diodos.htm

· http://www.asifunciona.com/tablas/transistores/simb_transist.htm

· http://www.electronicaestudio.com/simbologia.htm

http://www.yoreparo.com/nav/?url=http://nte01.nteinc.com/nte/NTExRefSemiProd.nsf/$$Search?OpenForm

RECONOCIMIENTO Y COMPROBACION DE DIODOS

Un diodo (del griego "dos caminos") es un dispositivo que permite el paso de la corriente eléctrica en una única dirección. De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un cortó circuito con muy pequeña resistencia eléctrica.

Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua.

El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor más sencillo y se puede encontrar, prácticamente en cualquier circuito electrónico.

Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la más utilizada) y de germanio.

Símbolo del diodo ( A - ánodo, K - cátodo)

Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera o unión. Esta barrera o unión es de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio. El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones)

Cuando una tensión positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a través del material P mas allá de los límites del semiconductor.

De igual manera los huecos en el material P son empujados con una tensión negativa al lado del material N y los huecos fluyen a través del material N.

En el caso opuesto, cuando una tensión positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P, los electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son empujados al lado P. En este caso los electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no hay corriente

El diodo se puede hacer trabajar de 2 maneras diferentes:

Polarización directa

Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha (la del diodo), o sea del ánodo al cátodo. En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha facilidad comportándose prácticamente como un corto circuito.

En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.

Para que un diodo esté polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo de la batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. En estas condiciones podemos observar que:

* El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unión p-n.

* El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.

* Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unión p-n.

* Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batería.

De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a través del diodo una corriente eléctrica constante hasta el final.

Polarización inversa

Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha (la flecha del diodo), o se del cátodo al ánodo. En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta prácticamente como un circuito abierto

En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como se explica a continuación:

* El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batería. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los átomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrón en el orbital de conducción, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.

* El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrón que falta el denominado hueco.

El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los átomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos.

* Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial eléctrico que la batería.

En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unión produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente inversa de saturación.

Características del diodo 1N4001

Objetivo General de silicio rectificador

Descripción:

Es un propósito general rectificador de silicio en un DO-41 diseñado para el caso de baja potencia y de conmutación.

Máximo absoluto Valoración:

Pico de tensión inversa repetitiva, VRRM. . . .. . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Trabajo pico de tensión inversa, VRWM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Bloqueo de Voltaje DC, VR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

No repetitivo pico de tensión inversa (Halfwave, Monofásico, 60 Hz), VRSM. . . . 720V

Tensión RMS inversa, VR (RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 420V

Promedio rectificado vigentes. IO

(Monofásico, carga resistiva, 60 Hz, TA = +75 ° C). . . . . . . . . . . . . . 1A

No repetitivo pico oleada actual, IFSM

(Surge aplicado a las condiciones de carga nominal de 1 ciclo). . . 30A

La salida de funcionamiento a temperatura, TJ. . . . . . -65 ° a +175 ° C

Rango de Temperatura de almacenamiento, Tstg. . . . -65 ° a +175 ° C

Temperatura máxima de plomo, TL

(Durante la soldadura, 3 / 8 "para el caso de 10sec a 5 libras de tensión) . . . . +350 ° C

Características eléctricas:

Parámetro	Símbol	Condiciones de prueba	Typ	Max	Min	Unidad
Adelante máxima instantánea Caída de tensión	vF	iF = 1A, TJ = +25°C	-	0.93	1.1	V
Máximo de ciclo completo con interés promedio Caída de tensión	VF(AV)	IO = 1A, TL +75°C, 1” lleva	-	-	0.8	V
Máximo invertir las actuales	IR	VRRM = 600V, TJ = +25°C	-	0.05	10	µA
		VRRM = 600V, TJ = +100°C	-	1.0	50	µA
Máximo de ciclo completo media inversa Actual	IR(AV)	IO = 1A, TL +75°C, 1” lleva	-	-	30	µA

Como se mide un diodo

Para comprobar un diodo necesitamos de la ayuda de un multímetro, este multímetro lo colocaremos en la escala menor de resistencia o en donde aparece el símbolo del diodo anteriormente nombrado, la punta COM del multímetro la colocaremos en el cátodo y la otra en el otro extremo del multímetro, en caso tal de que el multímetro sea análogo se deben colocar las puntas inversas. Recuerda tener las herramientas necesarias para poder soldar los diodos.

Para mirar la referencia del diodo te puedes ayudar con una lupa

También es muy bueno anotar la referencia que se encuentre ubicada en la mother board para saber a qué lugar pertenece el diodo

Ref. Tarjeta	Ref. diodo	Medida diodo
D604	IN539961 GP 9532	600
D507	2M26	844
D508	233	618
D506	T4148	669
D611	R6P02-12 619544	1406
D618	UF5404	485
D613	Z12M	846
D615	UF5408	435
D504	IN4997	534

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Objetivo General de silicio rectificador

Descripción:
El NTE116 es un propósito general rectificador de silicio en un DO-41 diseñado para el caso de baja potencia y de conmutación
aplicaciones.
Máximo absoluto Valoración:
Pico de tensión inversa repetitiva, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
Trabajo pico de tensión inversa, VRWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
Bloqueo de Voltaje DC, VR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
No repetitivo pico de tensión inversa (Halfwave, Monofásico, 60 Hz), VRSM . . . . . . . . . . . 720V
Tensión RMS inversa, VR (RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 420V
Promedio rectificado vigentes. IO
(Monofásico, carga resistiva, 60 Hz, TA = +75 ° C). . . . . . . . . . . . . . 1A
No repetitivo pico oleada actual, IFSM
(Surge aplicado a las condiciones de carga nominal de 1 ciclo). . . 30A
La salida de funcionamiento a temperatura, TJ . . . . . . -65 ° a +175 ° C
Rango de Temperatura de almacenamiento, Tstg. . . . -65 ° a +175 ° C
Temperatura máxima de plomo, TL
(Durante la soldadura, 3 / 8 "para el caso de 10sec a 5 libras de tensión). . . . . . . . . . . . +350 ° C

UF5404

NTE576
5,0 amperios Super Fast rectificador

Características:
Adelante baja caída de voltaje
Alta capacidad de corriente
Alta fiabilidad
Alta capacidad de corriente aumento
Máximo Valoración y características eléctricas: (TA = +25 ° C, a menos que se especifique otra.
Resistiva o carga inductiva 60Hz. Por capacitivo de carga, derate actual en un 20%.)
Periódicas pico de tensión inversa, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
Tensión RMS, Vrms. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280V
Bloqueo de Voltaje DC, VDC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
Promedio adelante la producción actual rectificado,
[.375 (9.5mm) de plomo en longitud TA = 55 ° C]. . . . . . . . . . 5.0A (AV)

Peak Adelante aumento actual, (8.3ms único medio sine onda superpuestas en carga nominal). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .150A (PK)
Adelante instantánea caída de voltaje en 5.0A . . . . . . . . . . 1.25V (PK)
A plena carga a invertir las actuales nominal de la fuente de voltaje de bloqueo
TA = +25 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A 5.0μ
TA = +100 ° C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . A 50μ
Máximo Tiempo de recuperación inversa (Nota 1). . . . . . . . . . . . . 35ns
Típico Junction Capacitancia (Nota 2). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150pF
La salida de funcionamiento a temperatura, TJ . . . . . . -65 ° a +150 ° C
Almacenamiento rango de Temperatura, TSTG. . . . . . -65 ° a +150 ° C
Nota 1. Recuperación inversa Condiciones de los ensayos: SI = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A.
Nota 2. Medido en 1MHz y aplicada invertir tensión de 4.0VDC.

UF5408

NTE577
Diodo de silicio

Propósito general, cambiar una rápida recuperación
Características eléctricas:
Máximo pico de tensión inversa, PRV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V
Máximo Promedio Rectified actual (TA = +50 °, la mitad de onda, carga resistiva 60Hz), IO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A
Máxima Adelante Peak Surge actual (8.3ms superpuesta), IFSM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A
Máximo invertir las actuales (TA = +25 ° C, PRV = 1000V), IR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .A 10μ
Tensión máxima de avance (TA = +25 ° C, SI = 5A), VFM. . . . . . . 1.7v
Máximo Tiempo de recuperación inversa, TRR. . . . . . . . . . . . . . . 70ns
Gama de temperatura de funcionamiento, Topr. . . . . . -65 ° a +150 ° C
Rango de Temperatura de almacenamiento, Tstg. . . . -65 ° a +150 ° C

WEBGRAFIA

• http://www.unicrom.com/Tut_diodo.asp
• http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
• http://www.yoreparo.com/nav/?url=http://nte01.nteinc.com/nte/NTExRefSemiProd.nsf/$$Search?OpenForm