RECONOCIMIENTO Y COMPROBACION DE TRANSISTORES

Transistor

El Transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

Este dispositivo tiene tres electrodos o bornes, uno por cada uno de los cristales de que se compone. Al cristal que recibe la corriente, el primero de los tres, se distingue con el nombre de emisor; el cristal del centro como base, y al cristal de salida de la corriente, colector. Entonces, en un transistor de tipo NPN, la primera N será el emisor, P será la base, y la otra N, el colector. Estos nombres se suelen abreviar con las letras E, B y C respectivamente.

Para comprender bien el funcionamiento del transistor debemos recordar la teoría atómica, donde el cristal N es un cristal que tiene exceso de electrones, y el cristal PTransistor NPN, es un cristal con exceso de huecos. Por ejemplo un transistor de tipo NPN, siguiendo la imagen en la que una fuente de alimentación (B) provee de corriente al emisor, conectado al polo negativo en el cristal N, negativo también. En estas condiciones se forman como unas barreras Z1 y Z2 en las uniones con el cristal P de base, que impiden el paso de la corriente. La base está llena de huecos que pasan a ser ocupados por los electrones más próximos de los cristales contiguos, formándose estas barreras de átomos en equilibrio que impide el paso de la corriente (salvo una muy débil corriente de fuga de escasísimo valor).

Pero si se polariza la fuente del mismo signo que ella, es decir, con una tensión positiva respecto al emisor, lo que se llama en sentido contrario, la barrera Z1 desaparece porque el potencial positivo aplicado a la base repele los huecos hacia los cristales N y penetran en la zona de resistencia. Los electrones libres del emisor la atraviesan siendo atraídos por los potenciales positivos de la base y del colector. Dado que el potencial positivo del colector es mucho más elevado que el de la base, los electrones se sentirán más atraídos por el primero, por lo que se obtendrá una elevada corriente del colector (que abreviaremos IC) y una pequeña corriente de base (IB). La corriente del emisor (IE) será por tanto igual a la suma de la corriente de colector y la corriente de base, tal como se deduce de las leyes de Kirchhoff. Es decir:

IE = IC + IB

Como se forman los cristales

Cristal N: Introduciendo unos átomos de Arsenio sobre la estructura atómica del germanio, lo cual se llama dopado, la estructura resultante queda del modo que el átomo de Arsenio se integra dentro de la unión covalente de los átomos de germanio, pero el electrón sobrante ahora no tiene cabida en el sistema, de modo que queda como electrón libre. Si ahora aplicamos a uno y otro extremo del material, se establecerá una vía de paso de los electrones desde el polo negativo al positivo, de modo que el cristal se hace conductor. A este tipo de cristal se le denomina conductor N, y al cristal que lo forma cristal N o de tipo N.

Cristal P: Podemos hacer otra combinación que va a consistir en la introducción de la impureza a base de utilizar unos átomos que dispongan solamente de 3 electrones de valencia. Si dopamos el material con Indio, por ejemplo, y éste entra a formar parte de la estructura del cristal , habrá un átomo que tendrá su órbita exterior compartida solamente 7 electrones y ello provocará la inestabilidad del conjunto, pero en ves de quedarse con un electrón más, queda con alguna parte del cristal hay un hueco que algún electrón ha de llenar. Ocurre que por la naturaleza de los átomos, el átomo que tiene el hueco suele quedarse con el electrón más próximo que quede a su alcance, y que en ese caso el otro átomo se quede sin electrón y a consecuencia de que esta situación se efectúa a gran velocidad, se podría hablar de un hueco que está constantemente desplazándose por todo el cristal. De esta manera el cristal resulta positivo(de tipo P) porque si le aplicamos una fuente de alimentación, se establecerá una circulación de huecos del polo positivo al negativo, es decir, los electrones habrán encontrado la vía de los huecos para atravesar todo el cristal.

Cuando unimos un cristal P con un cristal N, estamos creado un elemento de enorme importancia en la electrónica: el Diodo, ahora que ocurre, desde el punto de vista eléctrico, si unimos dos diodos entre sí, es decir si unimos un conjunto P-N con otro N-P, dorso contra dorso; o bien si unimos un N-P con otro P-N, en las mismas condiciones.

Debido a que las dos secciones centrales poseen el mismo dopado, se confunden entre si, de modo que nos queda una unión real que equivale, en el primer caso, a P-N-P y en el segundo a N-P-N.
En 1949, alguien realizando pruebas (estas pruebas se realizarán en artículos especiales) se dio cuenta de que se hallaba ante un nuevo dispositivo semiconductor de enormes posibilidades, y lo bautizó con el nombre de transistor sacado de transfer resistor (resistencia de transferencia, en inglés) porque el transistor ofrece una resistencia variable.

Tipos de Transistores

* Transistores Bipolares de unión, BJT. ( PNP o NPN )

- BJT, de transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junction Transistor).

El termino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el material polarizado de forma opuesta.

* Transistores de efecto de campo. ( JFET, MESFET, MOSFET )

- JFET, De efecto de campo de unión (JFET): Tambien llamado transistor unipolar, fué el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica.

- MESFET, transistores de efecto de campo metal semiconductor.

- MOSFET, transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una puerta, un electrodo de metal.

*Transistores HBT y HEMT.

Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de Hetereoestructura) y Hight Electron Mobility Transistor ( De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3 terminales formados por la combinación de diferentes componentes, con distinto salto de banda prohibida.

Como se prueba un transistor

Para medir un transistor necesitamos de la ayuda de un multímetro el cual colocaremos en la menor escala de Ω o en donde se miden los diodos, generalmente las placas traen impresas la posición en la que se debe colocar la B-E o C

1. Entre el emisor y el colector no debe de dar ningún valor en ninguno de los dos sentidos

2. Entre el colector y la base debe dar un valor en un solo sentido es decir que si se coloca inverso no debe de marcar ningún numero

3. Entre el emisor y la base se mide igual que como se mide igual que C con B teniendo en cuenta que en este caso el valor debe ser mayor al anterior.

Con esto podemos comprobar si está en buen estado e identificar cada una de sus partes y así también al identificar que la base es negativa se deduce que es PNP y si la base es positiva NPN.

A continuación la tabla muestra los resultados de los valores que se tomaron en 8 transistores ubicados en la tarjeta de un monitor

Ref. Tarjeta	Orden	Ref. transistor	Tipo	Medida
1.Q411	B-C-E	A 733 P PH 9n	PNP	B-E	C-E	C-B
				848	0	837
2.Q415	B-C-E	C945P PH 01	NPN	842	0	832
3.Q409	E-C-B	D667 DC 4	NPN	715	0	710
4.Q407	E-C-B	F423 PH n2	PNP	774	0	732
5.Q808	E-C-B	A1020 Y:.OD	PNP	706	0	703
6.Q810	B-C-E	C2655 Y:.OE	NPN	715	0	707
7.Q901	E-C-B	D2491 C 9M4	NPN	735	0	716
8.Q910	E-C-B	B716 OA 1	PNP	784	0	748

5 primeros desensamblados

Transistor D2491 (#7 en la tabla)

1. A 733 P

NTE289A (NPN) y NTE290A (PNP)
Transistores de silicio
Audio amplificador de potencia

NTE289A (NPN) y NTE290A (PNP)
Complementarias transistores de silicio
Audio amplificador de potencia
Características:
Desglose de Alto Voltaje: V (BR) CEO = 80 V Min
Alto Actual: IC = 500mA
Baja tensión de saturación
Máximo absoluto Valoración: (TA = +25 ° C, a menos que se especifique otra)

El colector de la Base de tensión, VCBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Colector-emisor de tensión, VCEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 V
Emisor-Base de tensión, VEBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
El colector actual, IC
Continua. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Peak. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mA
El colector de disipación, PC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600
Temperatura de funcionamiento Junction, TJ . . . . . . . . . . . . . +150 ° C
Rango de Temperatura de almacenamiento, Tstg .. . . -55 ° a +150 ° C

2. C945P

NTE85
Transistor de silicio NPN
Propósito General amplificador

Aplicaciones:
Media amplificadores de potencia
Clase B salidas de audio
Hi-Fi conductores

Máximo absoluto Valoración: (TA = +25 ° C, a menos que se especifique otra)

Colector-emisor de tensión, VCEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
El colector de la Base de tensión, VCBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Emisor-Base de tensión, VEBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Continua actual colector, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Total de disipación del dispositivo (TA = +25 ° C), PD . . . . . . . 625mW
Derate Por encima de 25 ° C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0mW / ° C
La salida de funcionamiento a temperatura, TJ. . . . . . -55 ° a +150 ° C
Rango de Temperatura de almacenamiento, Tstg. . . . -55 ° a +150 ° C
Resistencia térmica, Junction-Case, RthJC. . . . . . . . . . . . 83,3 ° C / W
Resistencia térmica, Junction-Ambient, RthJA. . . . . . . . . . 200 ° C / W

Nota 1. Estas puntuaciones son valores límite por encima del cual la prestación de los servicios de cualquier semiconductor Mayo
se vea perjudicada.
Nota 2. Estas calificaciones se basan en un cruce de la temperatura máxima de 150 ° C.

1. D667

NTE382 (NPN) y NTE383 (PNP)
Complementarias transistores de silicio
Audio frecuencia conductor

Máximo absoluto Valoración: (TA = +25 ° C, a menos que se especifique otra)
El colector de la Base de tensión, VCBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V
Colector-emisor de tensión, VCEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Emisor-Base de tensión, VEBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
El colector actual, IC
Continua. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Peak. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

El colector de disipación de potencia, PC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900mW
Temperatura de funcionamiento Junction, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150 ° C
Rango de Temperatura de almacenamiento, Tstg . . . . . . . . . . -55 ° a +150 ° C

1. A1020

NTE24 (NPN) y NTE25 (PNP)
Complementarias transistores de silicio
Amplificador de propósito general, Switch

Descripción:
El NTE24 (NPN) y NTE25 (PNP) son complementarios transistores de silicio en un tipo de paquete TO237
diseñados para fines generales de mediano y amplificador de potencia de conmutación de circuitos que requieren corrientes de colector
a 1A.
Características:
Alto colector emisor-Desglose de Voltaje: VCEO = 80 tervicies
Excepcional capacidad de disipación de energía
Máximo absoluto Valoración: (TA = +25 ° C, a menos que se especifique otra)
El colector de la Base de tensión, VCBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Colector-emisor de tensión, VCEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 V
Emisor-Base de tensión, VEBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
El colector actual, IC
Continuidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Peak. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Disipación de energía, PD
TA = +25 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 850mW
TC = +25 ° C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W
Temperatura Junction, TJ (máx.). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150 ° C
Rango de Temperatura de almacenamiento, Tstg. . . . -55 ° a +150 ° C
Resistencia térmica, Junction-Case, RthJC. . . . . . . . . . . . . . 50 ° C / W
Resistencia térmica, Junction-Ambient, RthJA . . . . . . . . . . 167 ° C / W

1. C2655

NTE2363 (NPN) y NTE2364 (PNP)
Complementarias transistores de silicio

Alto actuales de propósito general Amp / Switch
Características:
Baja tensión de saturación
Grandes capacidad actual y amplia ASO
Aplicaciones:
Fuentes de Poder
Los conductores Relay
Los conductores de lámpara
Automotriz de cableado
Máximo absoluto Valoración: (TA = +25 ° C, a menos que se especifique otra)
El colector de la Base de tensión, VCBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Colector-emisor de tensión, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Emisor-Base de tensión, VEBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
El colector actual, IC
Continua . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Peak. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
Colector admisible de disipación, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W
Temperatura Junction, TJ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150 ° C
Almacenamiento gama de temperaturas ambiente, Tstg………..-55 ° a +150 ° C
Nota 1 Para dispositivo PNP (NTE2364), el voltaje y la corriente son valores negativos.

A 733 P / C945P

D667 – C2655

A1020

BIBLIOGRAFIA

· http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor#Tipos_de_transistor

· http://www.areaelectronica.com/semiconductores-comunes/transistores.htm

· http://www.areaelectronica.com/semiconductores-comunes/diodos.htm

· http://www.asifunciona.com/tablas/transistores/simb_transist.htm

· http://www.electronicaestudio.com/simbologia.htm

http://www.yoreparo.com/nav/?url=http://nte01.nteinc.com/nte/NTExRefSemiProd.nsf/$$Search?OpenForm